题 目：宽禁带GaN基半导体材料的光电特性及其应用
主讲人：冀子武
时 间：2018年6月8日15:00
地 点：虚拟仿真实验中心VR多功能厅（理工楼A1004）
承办单位：物理与电子工程学院
主讲人简介：冀子武，教授/博导，在日本国立千葉大学攻读博士学位、在東京大学进行博士后研究期间，主要从事II-VI族半导体化合物的研究，如ZnSe/BeTe 纳米异质结构、CdTe 量子点、ZnTe薄膜、碳纳米管等的制备、微纳加工、结构表征和光电特性研究；参与了多项科研项目并发表了多篇相关论文。回国后，利用三年多的时间搭建了本研究团队所拥有的全新光电测试实验室；主要从事III-VI族(GaN基)半导体器件的设计、制备和光电特性研究；主持国家级、省部级项目十余项，授权国家发明专利多项，作为第一作者或通讯作者发表SCI论文三十余篇。
