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泰山学院60周年校庆学术报告:《宽禁带GaN基半导体材料的光电特性及其应用》
2018年06月05日 浏览量: 13 来源: 泰山学院 作者: 发布: 科研处


题  目宽禁带GaN基半导体材料的光电特性及其应用

主讲人冀子武

时  间20186815:00

地  点虚拟仿真实验中心VR多功能厅(理工楼A1004

承办单位:物理与电子工程学院

  

  


主讲人简介:冀子武,教授/博导,在日本国立千葉大学攻读博士学位、在東京大学进行博士后研究期间,主要从事II-VI族半导体化合物的研究,如ZnSe/BeTe 纳米异质结构、CdTe 量子点、ZnTe薄膜、碳纳米管等的制备、微纳加工、结构表征和光电特性研究;参与了多项科研项目并发表了多篇相关论文。回国后,利用三年多的时间搭建了本研究团队所拥有的全新光电测试实验室;主要从事III-VI(GaN)半导体器件的设计、制备和光电特性研究;主持国家级、省部级项目十余项,授权国家发明专利多项,作为第一作者或通讯作者发表SCI论文三十余篇。