6月8日，山东大学冀子武教授应邀来我校作题为“宽禁带GaN基半导体材料的光学特性及其应用”的学术报告。报告会在理工楼A1004虚拟仿真实验中心VR多功能厅举行，物理与电子工程学院物理学专业部分学生和教师代表聆听此次报告会。
冀子武教授从研究背景、表征手段、研究内容三个方面系统的对GaN基半导体进行讲解，简单介绍了半导体的发展历程，展示了第三代半导体的优越性，对具有代表性的第三代半导体进行了器件结构的介绍。随后就GaN研究内容及创新成果向大家展示了GaN的发展前景。报告内容深入浅出,参会同学认真学习并就有关问题进行了讨论。最后冀教授希望同学们在学习生活中不断积累知识，永存创新意识，掌握高新科学知识，为考研、考博打下坚实基础。
冀子武，教授、博导，日本国立千葉大学博士、東京大学博士后，主要从事111-VI族(GaN基)半导体器件的设计、制备和光电特性研究；主持国家级、省部级项目十余项，授权国家发明专利多项，作为第一作者或通讯作者发表SCI论文三十余篇。现为東京大学共同研究员，《中国青年科技工作者协会》会员，日本物理学会会员，在日中国学者材料学会会员等。美国《Opt. Express》、《Appl. Phys. Lett.》、《J. Appl. Phys》等多种国际重要学术期刊的评审专家。国家自然科学基金、山东省自然科学基金、科技部及教育部科研基金、高校博士论文等评审专家。
